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Europäisches Patentamt

Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist | Device and method for measuring structures on a mask and for calculating the structures resulting from the structures in a photoresist

Patentnummer:DE102007000981B4
IPC Hauptklasse:G01B001124
Anmelder:Vistec Semiconductor Systems GmbH (0)
35781, Weilburg, DE
Erfinder:Heiden, Michael (0)
61200, Wölfersheim, DE
Anmeldung:07.11.07
Offenlegung:22.02.07
Patenterteilung:30.07.20

Abstract / Hauptanspruch
Vorrichtung (1) zum Bestimmen der Positionen und Strukturbreiten von Strukturen (3) auf einer Maske (2), wobei die Vorrichtung (1) mindestens eine Auflicht-Beleuchtungseinrichtung (14) und/oder eine Durchlicht-Beleuchtungseinrichtung (6) umfasst, die Vorrichtung (1) mindestens eine Abbildungsoptik (9) und einen Detektor (11) einer Kamera (10) zum Abbilden der Strukturen (3) auf der Maske (2) umfasst, wobei ein erstes Dienstprogramm (17) mit dem Detektor (11) der Kamera (10) verbunden ist, das für die Ermittlung der Position und der Abmessung der Struktur (3) auf der Maske (2) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Abbildungsoptik (9) zum Abbilden der Struktur (3) auf der Maske (2) gemäß einer in einem Stepper verwendeten Wellenlänge einer Stepperbeleuchtung ausgestaltet ist, und dass mit dem Detektor (11) der Kamera (10) ein zweites Dienstprogramm (18) verbunden ist, das die zu erwartende Struktur im Photoresist auf dem Wafer aufgrund der im Stepper verwendeten Wellenlänge der Stepperbeleuchtung berechnet, wobei ein Vergleich zwischen einer ermittelten Breite der Struktur auf der Maske und einer berechneten Breite der zu erwartenden Struktur im Photoresist vorgesehen ist.

Device (1) for determining the positions and structure widths of structures (3) on a mask (2), the device (1) comprising at least one incident light illumination device (14) and / or a transmitted light illumination device (6), the device (1) comprises at least one imaging optics (9) and a detector (11) of a camera (10) for imaging the structures (3) on the mask (2), a first utility program (17) with the detector (11) of the camera (10) is connected, that is provided for determining the position and the dimension of the structure (3) on the mask (2), characterized in that the at least one imaging optics (9) for imaging the structure (3) on the mask (2) according to an in wavelength of a stepper illumination used in a stepper, and that a second utility program (18) is connected to the detector (11) of the camera (10), which calculates the expected structure in the photoresist on the wafer based on the wavelength of the stepper illumination used in the stepper, a comparison being made between a determined width of the structure on the mask and a calculated width of the expected structure in the photoresist.

DE102007000981B4


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