Zurück

Original-Dokument Europäisches Patentamt

SEMICONDUCTOR DEVICE, MECHANICAL QUANTITY MEASURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD | HALBLEITERBAUELEMENT, VORRICHTUNG ZUR MECHANISCHEN MENGENMESSUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS | DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE MESURE DE QUANTITÉ MECHANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Patentnummer:	EP3321653B1
IPC Hauptklasse:	G01B000716
Anmelder:
Erfinder:	Terada, Daisuke (0) c/o Hitachi Car Engineering Co., ltd.; 2477, Tabaka, Hitachinaka-shi; Ibaraki 312-0062, JP
Anmeldung:	30.06.16
Offenlegung:	07.07.15
Patenterteilung:	11.03.20
Abstract / Hauptanspruch
A semiconductor device includes a metal body; a bonding layer placed on the metal body; and a semiconductor chip placed on the bonding layer. The bonding layer includes a filler-containing first layer formed between the metal body and the semiconductor chip and a second layer bonded to the first layer and the semiconductor chip. The second layer has a thermal expansion coefficient higher than that of the first layer. This semiconductor device is provided with: a metal body; a bonding layer arranged on the metal body; and a semiconductor chip arranged on the bonding layer. The bonding layer comprises: a first layer that is formed between the metal body and the semiconductor chip and contains a filler; and a second layer that is bonded to the first layer and the semiconductor chip and has a higher thermal expansion coefficient than the first layer. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur pourvu : d'un corps métallique ; d'une couche de liaison disposée sur le corps métallique ; et d'une puce à semi-conducteur disposée sur la couche de liaison. La couche de liaison comprend : une première couche qui est formée entre le corps métallique et la puce semi-conductrice et qui contient une charge ; et une seconde couche qui est liée à la première couche et à la puce semi-conductrice et qui a un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui de la première couche.