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Europäisches Patentamt

DEVICE FOR MEASURING AND METHOD FOR MEASURING SURFACE SHAPE | VORRICHTUNG ZUR MESSUNG UND VERFAHREN ZUR MESSUNG EINER OBERFLÄCHENFORM | DISPOSITIF DE MESURE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE FORME DE SURFACE

Patentnummer:EP3176539B1
IPC Hauptklasse:G01B001124
Anmelder:
Erfinder:
Anmeldung:30.07.14
Offenlegung:30.07.14
Patenterteilung:01.01.20

Abstract / Hauptanspruch
[Technical Problem]

An object is to provide a method and apparatus for measuring a surface profile that enable correction or the like of the surface profile through measuring the surface profile of a semiconductor layer when forming the semiconductor layer by a vapor deposition method.

[Solution]

A single laser beam is reflected by a movable mirror to generate incident laser beams (Ld1, Ld2 and Ld3) separated substantially into three beams, and incident points (P1, P2 and P3) on the surface of a semiconductor layer (7) being formed in a chamber (2) are irradiated with the incident laser beams (Ld1, Ld2 and Ld3). A beam position sensor detects reflected laser beams (Lv1, Lv2 and Lv3) from the irradiation points (P1, P2 and P3) thereby to measure the surface profile of a film that includes the incident points (P1, P2 and P3).

Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif de mesure et un procédé de mesure de forme de surface, au moyen de la mesure de la forme de la surface d'une couche à semi-conducteur lors de la formation de la couche à semi-conducteurs au moyen d'un procédé de dépôt de vapeur, qui peuvent réaliser la correction et analogue de la forme de la surface. La solution selon l'invention concerne un faisceau laser unique qui est réfléchi par un miroir mobile, générant une lumière laser incidente (Ld1, Ld2, Ld3) séparée essentiellement en trois faisceaux, et des points incidents (P1, P2, P3) au niveau de la surface de la couche à semi-conducteurs (7) formée à l'intérieur d'une chambre (2) sont exposés à la lumière laser incidente (Ld1, Ld2, Ld3). En détectant la lumière réfléchie laser (Lv1, Lv2, Lv3) provenant de chaque point incident (P1, P2, P3) au moyen d'un capteur de position de lumière, la forme de surface du film comprenant les points incidents (P1, P2, P3) est mesurée.

EP3176539B1


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