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Method for the simultaneous measurement of thickness and temperature of an oxyde layer | Verfahren für die gleichzeitige Messung der Dicke und der Temperatur von einer Oxydschicht | Procédé pour la mesure simultanée de l'épaisseur et de la température d'une couche d'oxyde

Patentnummer:EP1593929B1
IPC Hauptklasse:G01B001106
Anmelder:
Erfinder:Schyns, Marc (0)
Rue du Chesnay 11, 4690 Roclenge-sur-Geer, BE
Anmeldung:29.04.05
Offenlegung:03.05.04
Patenterteilung:12.12.18

Abstract / Hauptanspruch
Oxide layer`s thickness and temperature measuring method for e. g. steel strip, involves determining thickness of oxide layer from spectral analysis of reflection factor and finding temperature from intrinsic radiation spectrum of substrate

The method involves determining thickness of an oxide layer from spectral analysis of reflection factor given by the division of radiation spectrum reflected on covered substrate to incident radiation spectrum of a light source. Temperature is determined from intrinsic radiation spectrum of the substrate measured by spectrometer and the thickness.-An INDEPENDENT CLAIM is also included for an installation for implementing a method for measuring thickness and temperature of an oxide layer disposed on a metallic substrate.

Procédé pour la mesure sans contact, simultanée et en temps réel de l'épaisseur (e) et la température (T) d'une couche d'oxyde déposée sur un substrat métallique, dans lequel l'épaisseur de la couche d'oxyde est déterminée à partir de l'analyse du spectre du facteur de réflexion R(λ) et la température (T) est déterminée à partir de S1(λ) et de l'épaisseur (e), où :
* R(λ) est le spectre de rayonnement réfléchi sur le substrat revêtu S3(λ) divisé par le spectre de rayonnement incident S0(λ) de la source de lumière, où S3(λ) est lui-même obtenu en soustrayant le spectre S1(λ) du spectre S2(λ) ;
* S1(λ) est le spectre de rayonnement intrinsèque du substrat, mesuré dans une première étape au moyen dudit spectromètre, fonctionnant en l'occurrence en mode pyromètre, en fermant l'obturateur dans le chemin optique ;
* S2(λ) est le spectre du substrat revêtu mesuré dans une seconde étape au moyen dudit spectromètre, fonctionnant en l'occurrence en mode pyromètre et réflexion, en laissant ledit obturateur ouvert.

EP1593929B1


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